전력 반도체 관련주 SiC GaN 전력반도체주 9 종목

전력 반도체는 전력을 제어하는 반도체로, 전력 전자공학의 핵심 소자이며, 일반적인 반도체 소자에 비해 고내압화, 큰 전류화, 고주파수화된 것이 특징입니다.

전력을 사용하는 모든 기기에서 전원 또는 배터리로부터 공급되는 전력을 자동차, 조명, 노트북, 스마트폰 등 다양한 시스템이 필요로 하는 전압과 전류 수준으로 변환하고 시스템 전체의 전력을 관리하는 역할을 수행하며, SiC(Silicon Carbide), GaN(Gallum Nitride), IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor), MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 등 여러 종류가 있습니다.

각각의 전력 반도체는 고유한 특성과 장점을 가지고 있으며, 응용 분야의 특정 요구 사항에 따라 선택되고 희토류는 이러한 전력 반도체의 핵심 소재 중 하나로, 희토류의 안정적인 공급과 기술 발전은 전력 반도체 산업의 발전과 함께 중요한 과제 중 하나입니다.

전력 반도체주 대장주 9 종목 분석

시지트로닉스

시지트로닉스는 화합물 반도체 소재인 GaN(질화갈륨)을 사용한 전력 반도체를 개발하고 있으며, GaN 전력 반도체는 전자 제품의 전력 효율을 끌어올리는 기능을 하는 반도체 부품으로, AI 기술이 발달하면서 데이터 센터가 늘어나는 추세에 따라 전력 효율 기술이 핵심 경쟁력으로 꼽히고 있습니다.
GaN을 사용한 전력 반도체 소자 개발을 2017년부터 RF 소자 개발을 2020년부터 진행하고 있으며, 이를 상용화하기 위한 노력을 진행 중이며 GaN 전력 반도체가 데이터 센터에 적용될 경우 전력 소모를 크게 줄일 수 있어 주목받고 있습니다.
한국나노기술원과 함께 'GaN 전력소자' 연구 과제를 공동으로 수행하며, 고효율 전력 변환 시스템 설계를 간소화하는 인핸스먼트 모드(E-mode) 전력 반도체 소자를 국내에서 최초로 구현하는 성과를 거두었습니다.

코스텍시스

코스텍시스는 차세대 전력 반도체인 SiC(실리콘 카바이드)와 GaN을 사용하여 전력 반도체의 고방열 스페이서를 개발하였으며, 기존의 실리콘(Si) 기반 전력반도체는 동작 온도가 약 150도 이상이 되면 반도체의 기능을 상실하는 단점이 있어 SiC와 GaN 같은 차세대 전력 반도체가 주목받고 있습니다.
이들은 실리콘 기반 칩보다 열에 강하고 부피를 축소할 수 있으며, 코스텍시스는 이러한 차세대 전력 반도체의 핵심 소재인 고방열 스페이서를 개발하였고, 이를 통해 전력 효율 향상과 부품 사이즈 축소라는 두 가지 효과를 기대할 수 있습니다.
현재 국내외 기업에 시제품을 납품하고 있으며, 글로벌 전력반도체 업체와 양산 수주 초도 계약을 체결했고, 600억 원 규모의 시설 투자를 계획 중입니다.

KEC

KEC는 트렌치 구조의 SiC 전력 반도체 개발에 성공한 업체 중 하나로 SiC 전력 반도체를 활용하여 전기차, 배터리 산업 등과 동반 성장하고 있습니다.
KEC는 효율이 중시되는 산업용, 민생용 시장뿐만 아니라 강건성이 중요시되는 전장 시장까지 넓은 SiC 비즈니스 영역을 보유하고 있으며, 전력반도체 산업의 업황을 고려해 Si, SiC 관련 웨이퍼증설을 검토하고 있고 이를 통해 전력 효율 향상과 부품 사이즈 축소라는 두 가지 효과를 기대할 수 있습니다.

RF머트리얼즈

RF머트리얼즈는 광화합물 반도체와 RF화합물 반도체를 트랜지스터와 전력증폭기에 안착시킬 수 있는 패키지를 제조 및 판매하고 있으며, GaN 전력반도체는 기존 Si 반도체보다 높은 전력효율을 갖고 있다는 장점으로 주목받고 있습니다.
산업통상자원부가 소재·부품·장비 업체 육성을 위해 진행하는 '산업용 고출력 레이저 다이오드칩과 모듈 제조기술 국산화 과제'에 선정되어 RF머트리얼즈가 총괄사업자를 담당하고 있습니다.
옵토웰, 한국전자통신연구원(ETRI)과 한국광기술원(KOPTI) 등이 GaN 및 갈륨비소 에피 소재와 이를 이용한 레이저 다이오드 칩 개발에 참여하고 있습니다.
이를 통해 전량 수입에 의존해 왔던 고출력 레이저 다이오드를 국산화하여 방산 및 산업용 제품, 의료기기 등에 적용할 수 있을 것으로 예상됩니다.

나노씨엠에스

나노씨엠에스는 SiC를 사용하여 전력 반도체용 재료를 개발 및 공급하고 있으며, 대만의 SiC 기판 제조사에 공급하여 전력 반도체 시장에서 새로운 성장동력을 확보하고 있습니다.
나노씨엠에스는 30억 원을 투자하여 전력 반도체 웨이퍼 소재 가공설비를 구축하였고, 이 설비는 2024년 8월 가동을 목표로 하고 있으며, 전력 반도체 밸류체인에서 시장 경쟁력을 강화하고 있습니다.

와이엠씨

와이엠씨는 반도체 및 디스플레이 공정의 Plasma Chamber에 사용되는 진공설비 부품 신규제작과 재생을 통한 아노다이징, 세정, 용사코팅을 통해 Particle 감소 및 공정분위기안정, 수율 및 생산성 향상을 실현하고 있으며, 디스플레이용 타깃 및 공정 부품, 반도체용 SiC Ring 재생 제품을 생산하고 있습니다.
반도체 소형 제품부터 디스플레이 대형 제품까지 대응 가능한 가공장비를 보유하고 있어 자체적인 소재 생산기술을 확보하고 있습니다.

디아이티

디아이티는 반도체 장비 제조사로 탄화규소 SiC 파워반도체의 음 접촉(Ohmic Contact) 저항을 낮추는 장비와 관련해 국산화에 성공하였습니다.
이 장비는 기존 대비 2배 이상의 생산성을 갖도록 개발되었으며, 국내 SiC Wafer Anneal 장비시장을 대부분 점유하고 있는 일본 반도체 장비 기업의 독점 구조를 깰 수 있을 것으로 예상됩니다.

유니온머티리얼

유니온머티리얼은 초고순도 SiC 단결정 웨이퍼 제조기술을 보유하고 있으며, 이는 전력반도체와 태양광·LED 공정 핵심 소재로 사용됩니다.
SiC 웨이퍼 및 고체산화물연료전지 개발 등을 통해 전력반도체 및 신재생에너지 분야로 신사업영역을 확대할 계획입니다.

RFHIC

RFHIC는 무선통신 및 방위 산업에서 활용되는 GaN 트랜지스터와 전력증폭기를 생산 및 판매하고 있으며, 신소재 개발에도 적극적으로 기존 GaN 트랜지스터의 성능을 끌어올리기 위해 GaN 기판에 다이아몬드를 적용하는 원천기술을 확보했습니다.
삼성전자, 노키아, 화웨이 등을 고객사로 두고 있으며 이들과의 협력을 통해 전력 반도체 시장에서의 성장 가능성을 높이고 있습니다.